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《固体电子学研究与进展》于1981年创办,全刊信息多却有条有理,坚持打造交流思想和经验共享的主流平台,国内刊号为:32-1110/TN,创刊多年来受到许多读者的支持和喜爱。
《固体电子学研究与进展》主要栏目:器件物理与器件模拟、射频与微波、光电子学、硅微电子学、材料与工艺。
1、来稿要求主题突出,论据充分,内容新颖、创新、实用。来稿采用A4幅面,5号字体,每页40行,每行大约39个汉字,来稿控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性与指导意义。
2、请在来稿正文前加200字左右的中文摘要和3至6个关键词,摘要不宜以第三人称写成文章结构介绍,并且不得含自我评价,请不要出现“本人”、“本文”等词起写。
3、作者姓名(中文、汉语拼音对照):作者姓名汉语拼音的写法为姓在前、名在后,姓氏的全部字母均大写,名字的首字母大写。
4、作者单位(中、英文对照):作者单位需给出所有作者的工作单位全称、所在省、市及邮政编码,英文部分还应在邮编之后加上国别代码“CHN”。
5、摘要(中、英文对照):摘要应能反映文章主要内容,应能给读者关于文章内容的足够信息,它包括研究的目的、方法、结果和结论。有关论文的背景信息、作者过去的研究及将来的计划和工作意义都不应在摘要中出现。中文摘要不超过300个汉字;英文摘要不超过150个单词(含介词),不出现“It is reported,Extensive investigotion shows that …”词句。
6、关键词(中、英文对照3-8个):中文关键词应使用中文全称,尽量不采用英语缩略语。中、英文各关键词之间用分号隔开。在中、英文关键词的下方分别给出论文的中图分类号与EEACC(或PACC)。
7、基金项目:在正文首页下方,按照国家有关部门规定的正式名称写明基金项目,并在圆括号内注明其项目编号。多项基金项目应依次列出,其间用分号隔开。
8、联系作者:在正文首页下方,给出第一作者或联系人的E-mail,如第一作者为研究生,宜将导师作为联系人。
9、插图与表格:应安排在文中的相应位置,图表均应清晰可辨。图题、表题需中、英文对照,图、表内的中文词均改为英文,插图希控制在10幅以内。
10、参考文献:按文中引用次序排列(引用处应加上角码([]),按GB/T7714-2005著录,顺序为:
a.期刊:作者.篇名(文题)[J].期刊名称,出版年;卷号(期号):起止页
b.专著:作者.书名[M].出版地:出版者,出版年;起止页
c.会议录、论文集:作者.文题 [C].文集编者. 会议录或论文集名,出版地:
出版者,出版年;起止页
d.学位论文:作者.文题 [D]. 学位授予单位,编号或缩微制品序号,年份
文献中作者项:姓在前、名在后,去缩写点;3人以下应全列出,4人以上则只列出3人后再加上“等”(et al.)。
11、作者简介:文稿最后应有作者简介及电子版照片(限3位),内容包括:姓名、性别、出生年月、职称或职务、学历、现从事何种研究。
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13、来稿不得涉及国家机密,涉及者应有单位证明。来稿请写明详细地址(邮政编码)及联系人和电话号码,有电子邮件信箱的也请留下信箱地址。来稿切勿一稿多投。
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学者姓名 | 发文量 | 主要研究主题 |
陈堂胜 | 94 | 心高电子迁移率晶体管;氮化镓;ALGAN/GAN_HEMT;ALGAN/GAN;GAAS |
洪志良 | 46 | 心CMOS;低功耗;锁相环;压控振荡器;电路 |
魏同立 | 41 | 心半导体器件;双极晶体管;集成电路;电流增益;硅 |
薛舫时 | 41 | 心HFET;电流崩塌;ALGAN/GAN;GAN;沟道 |
陈效建 | 40 | 心MMIC;PHEMT;砷化镓;功率放大器;微波单片集成电路 |
林金庭 | 39 | 心GAAS;砷化镓;MMIC;单片;微波单片集成电路 |
王志功 | 38 | 心CMOS;CMOS工艺;压控振荡器;光纤通信;低噪声放大器 |
陈辰 | 36 | 心ALGAN/GAN;高电子迁移率晶体管;ALGAN/GAN_HEMT;氮化镓;微波功率器件 |
张斌 | 36 | 心功率MMIC;微波单片集成电路;MMIC;氮化镓;功率放大器 |
李拂晓 | 34 | 心砷化镓;GAAS;开关;单片;MESFET |
机构名称 | 发文量 | 主要研究主题 |
南京电子器件研究所 | 771 | 晶体管;电路;放大器;单片;GAAS |
东南大学 | 303 | 电路;半导体;放大器;晶体管;集成电路 |
复旦大学 | 225 | 电路;功耗;集成电路;半导体;低功耗 |
西安电子科技大学 | 106 | 电路;半导体;金属氧化物半导体;晶体管;碳化硅 |
浙江大学 | 76 | 半导体;电路;金属氧化物半导体;氧化物半导体;双极 |
清华大学 | 71 | 电路;集成电路;计算机;半导体;晶体管 |
天津大学 | 68 | 隧穿;电路;共振隧穿;二极管;晶体管 |
南京大学 | 64 | 半导体;GAN;氮化镓;纳米;发光 |
电子科技大学 | 64 | 击穿电压;击穿;氮化镓;滤波器;放大器 |
中国科学院微电子研究所 | 63 | 电路;低噪;低噪声;放大器;晶体管 |
主题名称 | 发文量 | 相关发文学者 |
电路 | 412 | 林金庭;陈效建;彭龙新;张斌;陈堂胜 |
晶体管 | 375 | 陈堂胜;王因生;陈效建;傅义珠;魏同立 |
半导体 | 293 | 徐静平;杨银堂;朱樟明;王志功;陈新宇 |
放大器 | 249 | 王志功;林金庭;陈堂胜;陈效建;李拂晓 |
集成电路 | 235 | 林金庭;陈堂胜;彭龙新;张斌;陈效建 |
砷化镓 | 148 | 蒋幼泉;陈堂胜;李拂晓;陈新宇;林金庭 |
GAAS | 146 | 陈堂胜;林金庭;李拂晓;陈克金;高建峰 |
场效应 | 136 | 徐静平;柏松;陈堂胜;薛舫时;陈刚 |
单片 | 133 | 彭龙新;林金庭;张斌;陈效建;陈堂胜 |
二极管 | 126 | 郭维廉;沈光地;牛萍娟;张世林;柏松 |
资助项目 | 涉及文献 |
国家自然科学基金 | 703 |
国家高技术研究发展计划 | 151 |
国家重点基础研究发展计划 | 109 |
江苏省自然科学基金 | 60 |
国家教育部博士点基金 | 44 |
国家科技重大专项 | 44 |
中央高校基本科研业务费专项资金 | 38 |
国家重点实验室开放基金 | 26 |
福建省自然科学基金 | 25 |
河北省自然科学基金 | 23 |
资助课题 | 涉及文献 |
中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B) | 10 |
国家自然科学基金(60476046) | 9 |
江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(DZXX-053) | 9 |
国家自然科学基金(61106130) | 9 |
国家自然科学基金(60506012) | 8 |
国家自然科学基金(60776016) | 8 |
国家自然科学基金(90707002) | 7 |
国家高技术研究发展计划(2009AA011605) | 7 |
国家自然科学基金(11074280) | 7 |
国家自然科学基金(61076120) | 7 |
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固体电子学研究与进展杂志杂志是CSCD核心期刊,收录在维普收录(中),万方收录(中),知网收录(中),国家图书馆馆藏,上海图书馆馆藏,北大核心期刊(中国人文社会科学核心期刊),CA 化学文摘(美),JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、
固体电子学研究与进展杂志杂志是一本具有 双刊号 的期刊,固体电子学研究与进展杂志杂志的国内刊号是:32-1110/TN,国际刊号是:1000-3819
《教育探索》杂志是月刊 ,起订时间为 ,邮发代号:
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