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固体电子学研究与进展杂志
CSCD核心期刊

固体电子学研究与进展杂志

影响因子:0.30  人气:106
主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:南京电子器件研究所
国际刊号:1000-3819
国内刊号:32-1110/TN
审稿时间: 1-3个月
期刊收录:
  • 维普收录(中),万方收录(中),知网收录(中),国家图书馆馆藏,上海图书馆馆藏,北大核心期刊(中国人文社会科学核心期刊),CA 化学文摘(美),JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)
期刊荣誉:
  • 中国期刊全文数据库(CJFD),全国中文核心期刊,中国期刊方阵双效期刊,中国科技期刊核心期刊,中国核心期刊遴选数据库,
主要栏目:
  • 器件物理,射频器件与电路,微电子学,光电子学,半导体材料,

固体电子学研究与进展杂志简介

《固体电子学研究与进展》于1981年创办,全刊信息多却有条有理,坚持打造交流思想和经验共享的主流平台,国内刊号为:32-1110/TN,创刊多年来受到许多读者的支持和喜爱。

《固体电子学研究与进展》主要栏目:器件物理与器件模拟、射频与微波、光电子学、硅微电子学、材料与工艺。

固体电子学研究与进展杂志其他信息

出版社: 固体电子学研究与进展
发  行: 江苏
周  期: 月刊
起订时间:
主 编: 杨乃彬
语  言: 中文
邮  发:
邮  编: 210016

固体电子学研究与进展杂志特色(不代表本站观点)审稿时间:1-3个月

1、来稿要求主题突出,论据充分,内容新颖、创新、实用。来稿采用A4幅面,5号字体,每页40行,每行大约39个汉字,来稿控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性与指导意义。

2、请在来稿正文前加200字左右的中文摘要和3至6个关键词,摘要不宜以第三人称写成文章结构介绍,并且不得含自我评价,请不要出现“本人”、“本文”等词起写。

3、作者姓名(中文、汉语拼音对照):作者姓名汉语拼音的写法为姓在前、名在后,姓氏的全部字母均大写,名字的首字母大写。

4、作者单位(中、英文对照):作者单位需给出所有作者的工作单位全称、所在省、市及邮政编码,英文部分还应在邮编之后加上国别代码“CHN”。

5、摘要(中、英文对照):摘要应能反映文章主要内容,应能给读者关于文章内容的足够信息,它包括研究的目的、方法、结果和结论。有关论文的背景信息、作者过去的研究及将来的计划和工作意义都不应在摘要中出现。中文摘要不超过300个汉字;英文摘要不超过150个单词(含介词),不出现“It is reported,Extensive investigotion shows that …”词句。

6、关键词(中、英文对照3-8个):中文关键词应使用中文全称,尽量不采用英语缩略语。中、英文各关键词之间用分号隔开。在中、英文关键词的下方分别给出论文的中图分类号与EEACC(或PACC)。

7、基金项目:在正文首页下方,按照国家有关部门规定的正式名称写明基金项目,并在圆括号内注明其项目编号。多项基金项目应依次列出,其间用分号隔开。

8、联系作者:在正文首页下方,给出第一作者或联系人的E-mail,如第一作者为研究生,宜将导师作为联系人。

9、插图与表格:应安排在文中的相应位置,图表均应清晰可辨。图题、表题需中、英文对照,图、表内的中文词均改为英文,插图希控制在10幅以内。

10、参考文献:按文中引用次序排列(引用处应加上角码([]),按GB/T7714-2005著录,顺序为:

a.期刊:作者.篇名(文题)[J].期刊名称,出版年;卷号(期号):起止页

b.专著:作者.书名[M].出版地:出版者,出版年;起止页

c.会议录、论文集:作者.文题 [C].文集编者. 会议录或论文集名,出版地:

出版者,出版年;起止页

d.学位论文:作者.文题 [D]. 学位授予单位,编号或缩微制品序号,年份

文献中作者项:姓在前、名在后,去缩写点;3人以下应全列出,4人以上则只列出3人后再加上“等”(et al.)。

11、作者简介:文稿最后应有作者简介及电子版照片(限3位),内容包括:姓名、性别、出生年月、职称或职务、学历、现从事何种研究。

12、文稿中使用的名词术语、符号、计量单位要前后一致,符合国家有关标准(SI单位)。文中专业符号、大小写、英文与希腊文和正、斜体都要标写清楚,用作上下角的字母、数码和符号,其高低层次分明。 

13、来稿不得涉及国家机密,涉及者应有单位证明。来稿请写明详细地址(邮政编码)及联系人和电话号码,有电子邮件信箱的也请留下信箱地址。来稿切勿一稿多投。

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固体电子学研究与进展杂志发文分析

主要发文学者分析

学者姓名发文量主要研究主题
陈堂胜94心高电子迁移率晶体管;氮化镓;ALGAN/GAN_HEMT;ALGAN/GAN;GAAS
洪志良46心CMOS;低功耗;锁相环;压控振荡器;电路
魏同立41心半导体器件;双极晶体管;集成电路;电流增益;硅
薛舫时41心HFET;电流崩塌;ALGAN/GAN;GAN;沟道
陈效建40心MMIC;PHEMT;砷化镓;功率放大器;微波单片集成电路
林金庭39心GAAS;砷化镓;MMIC;单片;微波单片集成电路
王志功38心CMOS;CMOS工艺;压控振荡器;光纤通信;低噪声放大器
陈辰36心ALGAN/GAN;高电子迁移率晶体管;ALGAN/GAN_HEMT;氮化镓;微波功率器件
张斌36心功率MMIC;微波单片集成电路;MMIC;氮化镓;功率放大器
李拂晓34心砷化镓;GAAS;开关;单片;MESFET

主要发文机构分析

机构名称发文量主要研究主题
南京电子器件研究所771晶体管;电路;放大器;单片;GAAS
东南大学303电路;半导体;放大器;晶体管;集成电路
复旦大学225电路;功耗;集成电路;半导体;低功耗
西安电子科技大学106电路;半导体;金属氧化物半导体;晶体管;碳化硅
浙江大学76半导体;电路;金属氧化物半导体;氧化物半导体;双极
清华大学71电路;集成电路;计算机;半导体;晶体管
天津大学68隧穿;电路;共振隧穿;二极管;晶体管
南京大学64半导体;GAN;氮化镓;纳米;发光
电子科技大学64击穿电压;击穿;氮化镓;滤波器;放大器
中国科学院微电子研究所63电路;低噪;低噪声;放大器;晶体管

主要发文主题分析

主题名称发文量相关发文学者
电路412林金庭;陈效建;彭龙新;张斌;陈堂胜
晶体管375陈堂胜;王因生;陈效建;傅义珠;魏同立
半导体293徐静平;杨银堂;朱樟明;王志功;陈新宇
放大器249王志功;林金庭;陈堂胜;陈效建;李拂晓
集成电路235林金庭;陈堂胜;彭龙新;张斌;陈效建
砷化镓148蒋幼泉;陈堂胜;李拂晓;陈新宇;林金庭
GAAS146陈堂胜;林金庭;李拂晓;陈克金;高建峰
场效应136徐静平;柏松;陈堂胜;薛舫时;陈刚
单片133彭龙新;林金庭;张斌;陈效建;陈堂胜
二极管126郭维廉;沈光地;牛萍娟;张世林;柏松

主要资助项目分析

资助项目涉及文献
国家自然科学基金703
国家高技术研究发展计划151
国家重点基础研究发展计划109
江苏省自然科学基金60
国家教育部博士点基金44
国家科技重大专项44
中央高校基本科研业务费专项资金38
国家重点实验室开放基金26
福建省自然科学基金25
河北省自然科学基金23

主要资助课题分析

资助课题涉及文献
中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B)10
国家自然科学基金(60476046)9
江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(DZXX-053)9
国家自然科学基金(61106130)9
国家自然科学基金(60506012)8
国家自然科学基金(60776016)8
国家自然科学基金(90707002)7
国家高技术研究发展计划(2009AA011605)7
国家自然科学基金(11074280)7
国家自然科学基金(61076120)7

常见问题

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  • 固体电子学研究与进展杂志是什么级别的期刊?

    固体电子学研究与进展杂志杂志是CSCD核心期刊,收录在维普收录(中),万方收录(中),知网收录(中),国家图书馆馆藏,上海图书馆馆藏,北大核心期刊(中国人文社会科学核心期刊),CA 化学文摘(美),JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、

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    固体电子学研究与进展杂志杂志是一本具有 双刊号 的期刊,固体电子学研究与进展杂志杂志的国内刊号是:32-1110/TN,国际刊号是:1000-3819

  • 固体电子学研究与进展杂志订阅须知

    《教育探索》杂志是月刊 ,起订时间为 ,邮发代号:

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